Products製品・その他業務内容
製品
縦型減圧CVD装置 HG21
スモールフットプリントながらウエハーサイズ3" 6" 8"/inchに対応し10種類以上の半導体ガスを自在にコントロール可能。高性能かつ低価格を実現したハイグレード縦型減圧CVD装置。
縦型、枚葉、ウェハーサイズ、ガス種、フットプリントなど多くの使用に対応。汎用性を重視したハイグレード縦型減圧CVD装置
お客様のニーズに合わせカスタマイズされたCVD装置の設計・製造を行います
縦型、枚葉型、ウエハーサイズ、ガス種、フットプリントなど多くの仕様変更に対応可能
当社の標準仕様を基にカスタマイズを施し、より安価に製造することも可能です
汎用性を重視したハイグレード縦型減圧CVD装置
10種類以上の半導体ガスを自在にコントロール
各種ウエハー(3" 6" 8"/inch)に対応
スモールフットプリントを実現
(ポンプユニット別途)
ホットN2ユニットオプション可能
高機能・低価格
ヒーター昇降機能によりナチュラル酸化を低減
常温~900℃まで安定した温度コントロールを実現
高真空~弱減圧まで真空圧コントロール可能
多彩な膜種に対応
p-doped a-Si /p-doped poly-Si
b-doped a-Si
a-Si /poly-Si
高温酸化膜SiH4+N2O/SiH2cl2+N2O
窒化膜SiH2Cl2+NH3
N2 /O2 /H2アニール
外寸2250~2650mm×1040mm×1900mm
横型減圧CVD装置/横型プラズマCVD装置
横型減圧CVD装置:3~12インチ対応
横型プラズマCVD装置:3~8インチ対応
特徴
加熱システム
上下2分割ヒーターによる10ゾーン制御(5ゾーン×2)
メンテナンス性向上(石英TUBE交換時間短縮)
成膜特性(減圧CVD)
①高温酸化膜(SiH4/N2O)(SiH2Cl2/N2O)
②窒化膜(SiH2CL2/NH3)
③p-doped a-Si/p-doped-Poly-Si
④b-doped a-Si
⑤Poly-Si
成膜特性(プラズマCVD)
①窒化膜SiH4/NH3
②窒化膜SiH4/N2
真空度
①高真空~弱減圧まで自在にコントロール
自動搬送
①ロボット搬送
②カンチレバーAUTO-LOAD方式
Windows制御(当社独自開発)
①PC+PLC制御による安全性の向上
②豊富なデーターLOG機能
半導体製造装置用プロセスコントローラー
HG-21に搭載された当社オリジナルのWindowsプロセスコントローラーでグラフイカルに各種装置・PLCを制御 産業機器、医療・農業など異分野へ幅広い応用が可能です。
従来の老朽化したCVD装置コントローラーをWindowsベースのプロセスコントローラーに載せ替えが可能。
WindowPCから簡単にプロセス条件を変更出来、DI・DO・AI・AOで制御する多くの装置に応用可能で各種研究開発用装置に大いに利用できます。
半導体関連の装置も含めた、各構成部品等に関しましてメーカーサービスサポートの終了した装置、構成機器、部品等について、お客様の様々なご要望にお応え致します。